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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Mounting Type Package / Case Diode Type Current - Average Rectified (Io) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If Current - Reverse Leakage @ Vr Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) Speed Reverse Recovery Time (trr) Operating Temperature - Junction Capacitance @ Vr, F
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Infineon Technologies DIODE GEN PURP 8KV 760A - Obsolete Bulk Chassis Mount DO-200AB, B-PUK Standard 760A 3.2V @ 1200A 50mA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - -40°C ~ 160°C -
GAP05SLT80-220
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14,340
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GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL - Active Tube Through Hole Axial Silicon Carbide Schottky 50mA (DC) 4.6V @ 50mA 3.8µA @ 8000V 8000V No Recovery Time > 500mA (Io) 0ns -55°C ~ 175°C 25pF @ 1V, 1MHz
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$119.38
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29,080
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Semtech Corporation DIODE GEN PURP 8KV 500MA AXIAL - Active Bulk Through Hole Axial Standard 500mA 16.2V @ 3A 1µA @ 8000V 8000V Fast Recovery = 200mA (Io) 150ns -55°C ~ 150°C -
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$423.69
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66,960
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Semtech Corporation DIODE GEN PURP 8KV 3A MODULE - Active Bulk Chassis Mount Module Standard 3A 8V @ 3A 2µA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2µs -55°C ~ 150°C -
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19,100
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Semtech Corporation DIODE GEN PURP 8KV 6A MODULE - Active Bulk Chassis Mount Module Standard 6A 8V @ 6A 2µA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2µs -55°C ~ 150°C -
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76,320
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Semtech Corporation DIODE GEN PURP 8KV 6A MODULE - Active Bulk Chassis Mount Module Standard 6A 8V @ 6A 2µA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2µs -55°C ~ 150°C -
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70,760
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Semtech Corporation DIODE GEN PURP 8KV 4A MODULE - Active Bulk Chassis Mount Module Standard 4A 8V @ 3A 1mA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2µs -55°C ~ 150°C -
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Semtech Corporation DIODE GEN PURP 8KV 4A MODULE - Active Bulk Chassis Mount Module Standard 4A 8V @ 3A 1mA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2µs -55°C ~ 150°C -
UGE1112AY4
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$28.57
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IXYS DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE - Active Bulk Chassis Mount UGE Standard 4.2A 6.25V @ 7A 1mA @ 8000V 8000V Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - -