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Reverse Recovery Time (trr) :
Current - Collector (Ic) (Max) :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
Current - Collector Pulsed (Icm) :
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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
APT40GP60SG
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$5.86
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53,520
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Microsemi Corporation IGBT 600V 100A 543W D3PAK POWER MOS 7® Not For New Designs Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 543W D3 [S] - 100A 600V PT 2.7V @ 15V, 40A 160A 385µJ (on), 352µJ (off) 135nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
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$3.62
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56,780
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Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Active Bulk Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 543W T-MAX™ [B2] 80ns 118A 650V NPT 2.4V @ 15V, 45A 224A - 203nC 15ns/100ns 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
APT35GP120B2DQ2G
Par unité
$10.85
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46,820
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 96A 543W TMAX POWER MOS 7® Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 543W - - 96A 1200V PT 3.9V @ 15V, 35A 140A 750µJ (on), 680µJ (off) 150nC 16ns/95ns 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
APT35GP120BG
Par unité
$9.27
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20,040
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 96A 543W TO247 POWER MOS 7® Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 543W TO-247 [B] - 96A 1200V PT 3.9V @ 15V, 35A 140A 750µJ (on), 680µJ (off) 150nC 16ns/94ns 600V, 35A, 5 Ohm, 15V
APT50GN120B2G
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$5.92
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77,140
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 134A 543W TO-247 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 543W - - 134A 1200V NPT, Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 50A 150A 4495µJ (off) 315nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
APT50GN120L2DQ2G
Par unité
$9.52
RFQ
37,060
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 134A 543W TO264 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA 543W - - 134A 1200V NPT, Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 50A 150A 4495µJ (off) 315nC 28ns/320ns 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
APT40GP90B2DQ2G
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29,400
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Microsemi Corporation IGBT 900V 101A 543W TMAX POWER MOS 7® Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 543W - - 101A 900V PT 3.9V @ 15V, 40A 160A 795µJ (off) 145nC 14ns/90ns 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
APT40GP60BG
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17,060
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Microsemi Corporation IGBT 600V 100A 543W TO247 POWER MOS 7® Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 543W TO-247 [B] - 100A 600V PT 2.7V @ 15V, 40A 160A 385µJ (on), 352µJ (off) 135nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
APT40GP90BG
Par unité
$8.74
RFQ
42,960
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Microsemi Corporation IGBT 900V 100A 543W TO247 POWER MOS 7® Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 543W TO-247 [B] - 100A 900V PT 3.9V @ 15V, 40A 160A 825µJ (off) 145nC 16ns/75ns 600V, 40A, 5 Ohm, 15V
AUIRGDC0250
Par unité
$3.20
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73,420
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Infineon Technologies IGBT 1200V 141A 543W TO-220 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 543W SUPER-220™ (TO-273AA) - 141A 1200V - 1.57V @ 15V, 33A 99A 15mJ (off) 227nC -/485ns 600V, 33A, 5 Ohm, 15V
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44,480
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Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Obsolete Bulk Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 543W D3Pak 80ns 118A 650V NPT 2.4V @ 15V, 45A 224A - 203nC 15ns/100ns 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
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77,660
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Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO - Obsolete Bulk Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 543W TO-247 80ns 118A 650V NPT 2.4V @ 15V, 45A 224A - 203nC 15ns/100ns 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
APT40GP60B2DQ2G
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$7.75
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37,240
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Microsemi Corporation IGBT 600V 100A 543W TMAX POWER MOS 7® Not For New Designs Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 543W - - 100A 600V PT 2.7V @ 15V, 40A 160A 385µJ (on), 350µJ (off) 135nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5 Ohm, 15V