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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
APT65GP60B2G
Par unité
$10.69
RFQ
40,660
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Microsemi Corporation IGBT 600V 100A 833W TMAX POWER MOS 7® Not For New Designs Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 833W - 100A 600V PT 2.7V @ 15V, 65A 250A 605µJ (on), 896µJ (off) 210nC 30ns/91ns 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
APT65GP60L2DQ2G
Par unité
$9.44
RFQ
56,480
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Microsemi Corporation IGBT 600V 198A 833W TO264 POWER MOS 7® Not For New Designs Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA 833W - 198A 600V PT 2.7V @ 15V, 65A 250A 605µJ (on), 895µJ (off) 210nC 30ns/90ns 400V, 65A, 5 Ohm, 15V