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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
APT64GA90LD30
Par unité
$5.60
RFQ
39,700
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Microsemi Corporation IGBT 900V 117A 500W TO-264 POWER MOS 8™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA 500W TO-264 [L] - 117A 900V PT 3.1V @ 15V, 38A 193A 1192µJ (on), 1088µJ (off) 162nC 18ns/131ns 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
APT64GA90B
Par unité
$4.51
RFQ
17,680
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Microsemi Corporation IGBT 900V 117A 500W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 500W TO-247 [B] - 117A 900V PT 3.1V @ 15V, 38A 193A 1857µJ (on), 2311µJ (off) 162nC 18ns/131ns 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
APT64GA90B2D30
Par unité
$6.78
RFQ
23,220
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Microsemi Corporation IGBT 900V 117A 500W TO-247 POWER MOS 8™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 500W - - 117A 900V PT 3.1V @ 15V, 38A 193A 1192µJ (on), 1088µJ (off) 162nC 18ns/131ns 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V