Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
NGTB50N65FL2WG
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ON Semiconductor IGBT 600V 50A TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 417W 94ns 100A 650V Trench Field Stop 2V @ 15V, 50A 200A 1.5mJ (on), 460µJ (off) 220nC 100ns/237ns 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
NGTB50N60FL2WG
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$2.76
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ON Semiconductor IGBT 600V 50A TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 417W 94ns 100A 600V Trench Field Stop 2V @ 15V, 50A 200A 1.5mJ (on), 460µJ (off) 220nC 100ns/237ns 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
NGTB50N60S1WG
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ON Semiconductor IGBT 50A 600V TO-247 - Active Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 417W 94ns 100A 600V Trench 2V @ 15V, 50A 200A 1.5mJ (on), 460µJ (off) 220nC 100ns/237ns 400V, 50A, 10 Ohm, 15V