Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
FGH40N60UFTU
Par unité
$1.61
RFQ
75,000
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ON Semiconductor IGBT 600V 80A 290W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 290W TO-247 - 80A 600V Field Stop 2.4V @ 15V, 40A 120A 1.19mJ (on), 460µJ (off) 120nC 24ns/112ns 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
FGH40N60UFDTU
Par unité
$1.60
RFQ
37,780
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ON Semiconductor IGBT 600V 80A 290W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 290W TO-247 45ns 80A 600V Field Stop 2.4V @ 15V, 40A 120A 1.19mJ (on), 460µJ (off) 120nC 24ns/112ns 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
FGH40N65UFDTU
Par unité
$1.76
RFQ
22,540
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ON Semiconductor IGBT 650V 80A 290W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 290W TO-247 45ns 80A 650V Field Stop 2.4V @ 15V, 40A 120A 1.19mJ (on), 460µJ (off) 120nC 24ns/112ns 400V, 40A, 10 Ohm, 15V