Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
NGTB35N60FL2WG
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ON Semiconductor IGBT 600V 70A 300W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 300W TO-247 68ns 70A 600V Trench Field Stop 2V @ 15V, 35A 120A 840µJ (on), 280µJ (off) 125nC 72ns/132ns 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
NGTG35N65FL2WG
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ON Semiconductor IGBT 650V 60A 167W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 300W TO-247-3 - 70A 650V Field Stop 2V @ 15V, 35A 120A 840µJ (on), 280µJ (off) 125nC 72ns/132ns 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
NGTB35N65FL2WG
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ON Semiconductor IGBT 650V 70A 300W TO247 - Active Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 300W TO-247 68ns 70A 650V Trench Field Stop 2V @ 15V, 35A 120A 840µJ (on), 280µJ (off) 125nC 72ns/132ns 400V, 35A, 10 Ohm, 15V