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Reverse Recovery Time (trr) :
Current - Collector (Ic) (Max) :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
Current - Collector Pulsed (Icm) :
Td (on/off) @ 25°C :
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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
IXBX64N250
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IXYS IGBT 2500V BIMOSFET™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 735W PLUS247™-3 160ns 156A 2500V 3V @ 15V, 64A 600A - 400nC 49ns/232ns 1250V, 128A, 1 Ohm, 15V
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RFQ
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IXYS IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5 BIMOSFET™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ 500W ISOPLUSi5-Pak™ 160ns 116A 2500V 3V @ 15V, 64A 750A - 400nC - -
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$10.87
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47,600
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IXYS IGBT XPT™, GenX3™ Active - Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-247-3 1500W PLUS247™-3 54ns 320A 1200V 2.2V @ 15V, 100A 800A 9.7mJ (on), 21.5mJ (off) 400nC 30ns/340ns 960V, 100A, 1 Ohm, 15V