Reverse Recovery Time (trr) :
Current - Collector (Ic) (Max) :
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
Current - Collector Pulsed (Icm) :
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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
FGA20S120M
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RFQ
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ON Semiconductor IGBT 1200V 40A 348W TO3PN - Obsolete Tube Standard -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 348W TO-3PN - 40A 1200V Trench Field Stop 1.85V @ 15V, 20A 60A - 208nC - -
FGA30N120FTDTU
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$3.34
RFQ
19,900
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ON Semiconductor IGBT 1200V 60A 339W TO3P - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3 339W TO-3PN 730ns 60A 1200V Trench Field Stop 2V @ 15V, 30A 90A - 208nC - -
FGH30N120FTDTU
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RFQ
14,100
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ON Semiconductor IGBT 1200V 60A 339W TO247 - Obsolete Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 339W TO-247 730ns 60A 1200V Trench Field Stop 2V @ 15V, 30A 90A - 208nC - -
IXBF10N300C
Par unité
$23.35
RFQ
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IXYS IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4 BIMOSFET™ Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 (3 Leads) 240W ISOPLUS i4-PAC™ 700ns 29A 3000V - 6V @ 15V, 10A 240A 7.2mJ (on), 1.04mJ (off) 208nC 32ns/390ns 1500V, 10A, 10 Ohm, 15V