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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
APT25GN120B2DQ2G
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$4.94
RFQ
60,860
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 67A 272W TMAX - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 272W - 67A 1200V NPT, Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 25A 75A 2.15µJ (off) 155nC 22ns/280ns 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
APT33GF120LRDQ2G
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RFQ
59,240
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TO264 - Obsolete Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-264-3, TO-264AA 357W TO-264 [L] 64A 1200V NPT 3V @ 15V, 25A 75A 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) 170nC 14ns/185ns 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
APT33GF120B2RDQ2G
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$9.65
RFQ
14,700
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Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TMAX - Active Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 Variant 357W - 64A 1200V NPT 3V @ 15V, 25A 75A 1.315µJ (on), 1.515µJ (off) 170nC 14ns/185ns 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V