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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) IGBT Type Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Current - Collector Pulsed (Icm) Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
APT15GP90BDQ1G
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Microsemi Corporation IGBT 900V 43A 250W TO247 POWER MOS 7® Not For New Designs Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 250W TO-247 [B] - 43A 900V PT 3.9V @ 15V, 15A 60A 200µJ (off) 60nC 9ns/33ns 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V
APT15GP90KG
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Microsemi Corporation IGBT 900V 43A 250W TO220 POWER MOS 7® Obsolete Tube Standard -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 250W TO-220 [K] - 43A 900V PT 3.9V @ 15V, 15A 60A 200µJ (off) 60nC 9ns/33ns 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V
APT15GP90BG
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74,760
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Microsemi Corporation IGBT 900V 43A 250W TO247 POWER MOS 7® Active Tube Standard - Through Hole TO-247-3 250W TO-247 [B] - 43A 900V PT 3.9V @ 15V, 15A 60A 200µJ (off) 60nC 9ns/33ns 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V