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IMAGE PARTIE NO. PRIX QUANTITÉ STOCK FABRICATION LA DESCRIPTION Series Part Status Packaging Input Type Operating Temperature Mounting Type Package / Case Power - Max Supplier Device Package Reverse Recovery Time (trr) Current - Collector (Ic) (Max) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Switching Energy Gate Charge Td (on/off) @ 25°C Test Condition
IRG8B08N120KDPBF
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Infineon Technologies DIODE 1200V 8A TO-220 - Obsolete Tube Standard -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-220-3 89W TO-220AB 50ns 15A 1200V 2V @ 15V, 5A 300µJ (on), 300µJ (off) 45nC 20ns/160ns 600V, 5A, 47 Ohm, 15V
IRG8P08N120KD-EPBF
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Infineon Technologies IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD - Obsolete Tube Standard -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 89W TO-247AD 50ns 15A 1200V 2V @ 15V, 5A 300µJ (on), 300µJ (off) 45nC 20ns/160ns 600V, 5A, 47 Ohm, 15V
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Infineon Technologies IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC - Obsolete Tube Standard -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole TO-247-3 89W TO-247AC 50ns 15A 1200V 2V @ 15V, 5A 300µJ (on), 300µJ (off) 45nC 20ns/160ns 600V, 5A, 47 Ohm, 15V
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Infineon Technologies IGBT 1200V 5A DIE - Obsolete Bulk Standard -40°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount Die - Die - - 1200V 2V @ 15V, 5A - 30nC 20ns/160ns 600V, 5A, 47 Ohm, 15V